本文来自微信公众号：君临财富（ID：junlin_1980），作者：君临研究中心，原文标题：《第三代半导体大热，揭秘骗子露笑科技！》，头图来自：视觉中国
最近，露笑科技这家公司火了，有人骂他是家骗子公司，各平台众人也都各持己见，论战不休。
但是并没有业内人士出来说道说道这个，这就有点神奇了。行外看热闹，非专业人士说的东西，大家要有一些判断。
现代科学的发展进步，其实已经到了普通人很难理解的程度，不信可以看看下面这个“标准模型”的公式：
那么什么是导体和半导体？什么是第三代半导体？露笑科技到底是不是一个大坑？
一、什么是导体和半导体？
量子力学认为，组成物质的原子是由原子核和电子组成的，电子以电子轨道的方式在核外运动。
原子和原子组成物体时，会有很多相同的电子混在一起，这个相混的过程就是化学反应，形成化学键，就产生了新分子。
但是两个相同的电子没有办法呆在一个轨道上，所以为了让这些电子不在一个轨道上打架，就分裂出了好几个轨道。
可是这么多轨道，一不小心挨得近了，就会挤在一起，形成宽轨道，这个宽轨道，就叫做能带。而在有些宽轨道上，挤满了电子，电子就没法移动，宏观上就表现为绝缘，这个就叫做价带。
另外还有些宽轨道，则空旷的很，电子大把空间自由移动，宏观上就表现为导电，这个就叫做导带。
因此，固体中充满了价带和导带，价带和导带之间往往会有间隙，这个间隙就叫做禁带。而导带和价带之间挨得很近，那么电子就可以毫不费力地从价带变更车道到导带上，这就是导体。
如果稍微离得远了点，电子自身就不能跨过禁带，但是如果离得非常远，禁带在5电子伏特以内，那么给电子加个额外能量，电子也能跨过禁带，这就是半导体。但假如禁带大于5电子伏特，在普通情况下电子就跨不过去了，这就是绝缘体。
当然，凡事都有例外，如果能量足够大，别说5ev的禁带，就是5000ev的禁带也能一冲而过，这个就叫击穿场强。当然，禁带越宽，击穿场强越高。
二、什么是第三代半导体？
第三代半导体，严谨地来说，应该叫做宽禁带半导体，也就是禁带宽于现在的硅基半导体。
按照半导体材料能带结构的不同，禁带宽度如果小于2.3ev，那就是窄禁带半导体，代表材料有：GaAs、Si、Ge、InP（中文名：砷化镓、硅、锗、磷化铟）。
如果禁带宽度大于2.3电子伏特，那就叫做宽禁带半导体，代表材料有：GaN、SiC、AlN、AlGaN（中文名：氮化镓、碳化硅、氮化铝、氮化镓铝）。
根据我们之前分析的可以知道，半导体禁带宽度越大，电子跃迁到导带所需要的能量也就越大。当然击穿场强也越大了，这意味着材料能承受的温度和电压更高。
由此可知，宽禁带半导体和集成电路，也就是和逻辑芯片，没有什么太大关系。因为逻辑芯片的核心在于怎么把晶体管做小，也就是将制程提高。
而电力电子器件、激光器，则是怎么考虑承受更高的电压、电流、频率、温度，然后有更小的电力损耗，以应用在各种恶劣环境和大功率环境下。所以，宽禁带半导体大展身手的地方，是在电力电子器件、激光发生器上。
目前，比较有希望的两种材料是碳化硅和氮化镓，其他的长晶很困难。碳化硅主要用在功率器件上，现在最热的就是用在电动车上，因为带来电力损耗减少，能够提高电动车的续航。
以后在光伏和风电发电中，用上碳化硅的话，也能够提高发电效率，促进度电成本下降。所以在这么一个政治家推动的电气化时代，其需求是很迫切的。
氮化镓则主要是用于微波器件上，比如5G基站的射频芯片就要用到它，否则效果就比较差。特别是军方的电磁对抗，更加需要氮化镓，来增加单位微波功率。
并且在5G时代，氮化镓是不可或缺的。
三、露笑科技是一个大坑吗？
在国内，研究宽禁带半导体主要有3个流派，分别是中科院物理所、中科院上海硅酸盐所、山东大学，最主要的研究方向就是宽禁带半导体衬底的晶体生长。因为这个行业最源头的，以及最难的，就是衬底片的制造。
这三个流派都是90年代就开启研究了，起步时间和国外是差不太多的。
第一个中科院物理所，是陈小龙领头的，成立产学研转化的企业是天科合达。这个企业去年撤回了IPO，有些奇怪，坊间传闻据说是陈小龙出走了。而天科合达的金主是新疆生产建设兵团，控股方是天富集团，A股的影子股是天富集团控股的天富能源，占了10.66%的股份。
第二个山东大学是徐现刚领头，产学研的企业是山东天岳。原本的领头人是徐现刚的老师蒋民华院士，遗憾的是这位大佬不幸于2011年逝世，事未竟而身先死。前段时间山东天岳参加了上市辅导，相信很快就会在A股见面。另外，市场对他的热情也非常高涨，穿透下来只有他股权2%的柘中股份都被资金顶了7个板。
第三个中科院上海硅酸盐所，则是陈之战领头。陈之战之前在世纪金光干过，后来20年5月，和露笑科技走在了一起。最近，露笑科技也成了股吧热门，在涨了一倍之后，被大家说成是，家蹭热点的骗子公司。
但大家一定要有自己的判断，评价的人并不一定是业内人士，很有可能不懂技术，只是翻了一下二手资料，露笑科技曾经追逐热点，投资的锂电池、光伏也都失败了，但是并不能以此推导出他的管理层就是坏家伙。
露笑科技原来的主营业务漆包线，是大家都知道的传统行业，竞争激烈，管理层当然也知道这是没有什么前途的，谋取转型，某种程度上说明了管理层是有进取心的。
但转型是困难的，踏足一个未知领域，哪有这么简单。碳化硅这个东西，以往并不是很热，因为商业化应用的领域没有出来。
陈小龙在媒体采访时就曾经透露，天科合达在成立后的10多年里未曾盈利，给投资方和团队都带来了非常大的压力。而美国军方扶持起来的CREE，就算有军方爸爸，但是在2016年的时候也顶不住，想要把企业卖给英飞凌。
而电动车领域里，就在2020年，特别疫情期间，大家还怀疑，补贴退坡之后，会不会就面临死亡了。当时还有人专门写了《预言一场电动爹大逃杀》来看空。
那你们想想，碳化硅器件目前最好的应用场景，在去年都还是这个熊样，谁又会多留意碳化硅呢？
当时的大热门还是功率器件的国产替代，是硅基的IGBT、MOSFET，是斯达半导体、新洁能。所以20年露笑科技找到陈之战，或许和以往的投资，有些不同。国内碳化硅衬底还局限在二极管的应用，芯片质量主要来自于衬底，也因此几乎国内碳化硅器件都来自国外。
目前，碳化硅四寸片，做的比较好的是天科合达、河北同光以及山西烁科等几家企业。但是六寸量产的厂商，目前还基本没有。也就是说，三大流派其实还是半斤八两，都还需要突破，否则华为怎么对天科合达和山东天岳都一起投资。
当下这个阶段就是，谁能率先突破，谁就会享有先发优势，并在行业景气的助力下，实现超额收益，获得市场的估值溢价。或许当合肥露笑半导体的碳化硅衬底片出来后，华为也会进来投资一笔。
至于说露笑科技没有技术积累，这真不知道怎么说，陈之战大哥和他的团队、学生已经研究了20多年了。很可能是，露笑科技的蓝宝石业务部门，19年在给中科钢研代工碳化硅长晶炉的时候，突然发觉这是个有戏的行业，随后才找到了陈之战。
总之，对于露笑科技，大家要有自己的判断，核心点有且只有一个，陈之战团队能不能扎下根来。总的来说，目前碳化硅的投资，最好的应该是衬底环节，这个环节现在产能不足、壁垒极高。
而衬底的企业，则主要是看已经研究了20多年的国内三大流派旗下企业。按照中国的科研环境、功率器件企业发展状况来说，其他的团队压根没法分杯羹。材料技术是积累出来的，烧人烧时间，更加烧钱。
现在行业热了再来开始研发，短时间根本不可能见效。中科院的两个研究所，山东大学蒋院士的团队，科研的资源肯定是最丰富的，但是人家陈小龙都说压力很大，所以别的团队申请科研基金都不容易。
露笑科技说9月份能试生产，年底批量生产，而且是6英寸的，有陈之战在，应该不是讲大话。一旦衬底片年底真的量产了，那就是国内领先了，以国内资金对科技的热度，自然会有神秘的东方估值力量。
宽禁带半导体领域里，全球都还是在懵懵懂懂的阶段，咱们和美国虽然有差距，但也不是这么大。特别是他的主要应用领域，新能源发电、新能源汽车、5G通讯、航空航天、电磁对抗，咱们国家都是最大的应用市场和制造商，特别是光伏、风电、电动车、5G这些大规模民用的领域。
技术的进步还是源自经济利益的驱使，产业的需求对于技术进步的作用是最大的。所以宽禁带半导体的投资在目前是大有可为，很有可能在我们国家诞生全球龙头，存在较大的想象空间。
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